深圳市誉辉天成电子有限公司
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11年
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其他光电子、激光器件(4)
LED器件(1)
LED芯片及外延(5)
其它电子原辅材料(1)
滤波器(4)
NCE12P09S一般特点：
vds=-12V,ID=-9A
rds(ON)<22m?@VGS=-2.5V
rds(ON)<18m?@VGS=-4.5V
先进的沟槽MOSFET工艺技术
超低导通电阻，低栅电荷
NCE12P09S应用程序：
脉宽调制的应用程序
负荷开关
手机电池充电
NCE12P09S封装展示：
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源极电压：-12V
栅源电压：±12V
漏极电流连续：9
漏极电流脉冲(注1)：-60
最大功耗：2.5W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
电气特性(TA=25℃，除非另有说明）：
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