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NCE30P30K价格

　　NCE30P30K采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷，该设备非常适合于高电流负载的应用。

　　NCE30P30K一般特征:

　　VDS=-30v,ID=-30

　　RDS(ON)<18mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<30mΩ@vg=-4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　NCE30P30K应用程序:

　　全桥变换器高侧开关

　　用于LCD显示的DC/DC转换器

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明):

　　漏源电压:-30V

　　栅源电压:±20V

　　漏极电流连续:-30A

　　漏极电流连续(TC=100℃):-21.2S

　　脉冲漏极电流:-70A

　　最大功耗:60W

　　降额因子:0.4W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5):169mj

　　操作结和存储温度范围:-55-175℃

　　NCE30P30K测试电路：

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