深圳市誉辉天成电子有限公司
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MOS全称Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，描述了集成电路中MOS管的结构，即在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。
25.AMOS管NCE30P25S采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，该设备适用于作为负载开关或电源管理。
25.AMOS管NCE30P25S一般特点：
VDS=-30V,ID=-25A
RDS(ON)<9mΩ@vg=-10v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
25.AMOS管NCE30P25S应用程序：
电源管理
负荷开关
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-30V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-25
漏极电流脉冲(注1)：-70
最大功耗：3.5W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
SOP-8包信息：
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