深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE30P12S采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低4.5V的栅电压运行。该器件适用于负载开关或PWM应用。

　　NCE30P12S一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-12A

　　RDS(ON)<25m?@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<15mΩ@vg=-10v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　NCE30P12S应用程序：

　　脉宽调制的应用程序

　　负荷开关

　　电源管理

　　NCE30P12S标记和引脚分配：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续(TC=25℃)：-12

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-8.4

　　漏极电流脉冲(注1)：-48

　　最大功耗(TC=25℃)：3w

　　最大功耗(TC=100℃)：1.3w

　　单脉冲雪崩能量(注5)：231mj

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　电气特性(TA=25℃，除非另有说明)：