深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE01P13采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用在各种各样的应用程序,它是ESD抗议道。

　　新洁能MOS管NCE01P13一般特点：

　　VDS=-100v，ID=-13

　　RDS(ON)<200mΩ@vg=-10v(Typ：170m?)

　　超高密度电池设计

　　先进的挖沟工艺

　　可靠和崎岖的

　　高密度单元设计，超低通电阻

　　新洁能MOS管NCE01P13应用程序：

　　电源开关

　　直流/直流转换器

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-100v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-13a

　　漏电流连续(TC=100℃)：-9.2A

　　脉冲漏电流：-52A

　　单脉冲雪崩能量(注5)：65兆焦耳

　　最大功耗：40w

　　降额因子：0.32W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：110mJ

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。

　　主营各大品牌IC和二三极管，主要经销品牌TI/NS AD、ST/ON/NXP INFINEON、MAXIM IR/FSC/VISHAY、Panjit、ATMSEL STC/ISSI