深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE01P13K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。ESD提出抗议。

　　NCE01P13K一般特征：

　　VDS=-100v,ID=-13

　　RDS(ON)<200mΩ@vg=-10v(Typ：170mΩ)

　　超高密度电池设计

　　先进的挖沟工艺

　　可靠和崎岖的

　　高密度单元设计，超低通电阻

　　NCE01P13K应用程序：

　　电源开关

　　直流/直流转换器

　　NCE01P13K封装：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-100V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-13

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-9.2

　　脉冲漏极电流：-30

　　单脉冲雪崩能量(注5)：65年乔丹

　　最大功耗：40W

　　降额因子：0.32W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：110mj

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。

　　主营范围：主营各大品牌IC和二三极管，主要经销品牌TI/NS AD、ST/ON/NXP INFINEON、MAXIM IR/FSC/VISHAY、Panjit、ATMSEL STC/ISSI