深圳市誉辉天成电子有限公司
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其它电子原辅材料(1)
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新洁能NCE01P30L采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
NCE01P30L一般特征：
VDS=-100v，ID=-30
RDS(ON)<58mΩ@vg=-10v(Typ：50mΩ)
超高密度电池设计
先进的挖沟工艺
可靠和崎岖的
高密度电池设计，超低导通电阻
NCE01P30L应用程序：
便携式设备和电池供电系统
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-100v
栅源电压：±20v
漏电流连续：-30a
漏电流连续(TC=100℃)：(100℃)-21a
脉冲漏电流：-120a
最大功耗：120w
降额因子：0.8W/℃
操作结和存储温度范围：-55-175℃
NCE01P30L测试电路：
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