深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE40P05Y采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　NCE40P05Y超结功率MOSFET参数：

　　产品型号：NCE40P05Y

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：5.3A

　　漏源电压（Vdss）：40V

　　栅源极阈值电压（最大值）：3V@250uA

　　漏源导通电阻（最大值）：85mΩ@5A，10V

　　类型：P沟道

　　功率耗散（最大值）：2W

　　NCE40P05Y超结功率MOSFET一般特征：

　　VDS=-40v,ID=-3.3

　　RDS(ON)<85mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<120mΩ@vg=-4.5v

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　良好的散热包装

　　NCE40P05Y超结功率MOSFET应用程序：

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　直流-直流转换器

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：