深圳市誉辉天成电子有限公司

　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

　　NCE40P20Q场效应管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，该设备适用于作为负载开关或电源管理。

　　一般特征

　　VDS=-40V,ID=-20A

　　RDS(ON)<12mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<17mΩ@vg=-4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　电源管理

　　负荷开关

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源极电压：-40V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-20

　　漏极电流脉冲(注1)：-80

　　最大功耗：30W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。