NCE30P15S采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),该设备适用于负载开关或PWM应用。
一般特征:
VDS=-30V,ID=-15A
RDS(ON)<12mΩ@vg=-10v
RDS(ON)<15mΩ@vg=-4.5v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序:
脉宽调制的应用程序
负荷开关
不间断电源
NCE4435参数:
商品目录:MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C时):9.1A
漏源电压(Vdss):30V
栅源极阈值电压(最大值):3V@250uA
漏源导通电阻(最大值):20mΩ@9.1A,10V
类型:P沟道
功率耗散(最大值):3.1W
绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):
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