深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE20P45Q采用了先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　NCE20P45Q一般特征

　　VDS=-19v,ID=-45

　　RDS(ON)<7mΩ@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<9mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<12mΩ@vg=-1.8v

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　良好的散热包装

　　NCE20P45Q应用程序：

　　负荷开关

　　电池保护

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-19V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：-45

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-35

　　脉冲漏极电流：-200

　　最大功耗：80W

　　降额因子：0.64W/℃

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。

　　主营各大品牌IC和二三极管，主要经销品牌TI/NS AD、ST/ON/NXP INFINEON、MAXIM IR/FSC/VISHAY、Panjit、ATMSEL STC/ISSI