深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE2321A采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低2.5V的栅电压操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
MOS管 NCE2321A一般特征：
VDS=-20V,ID=-4.5A
RDS(ON)<70mΩ@vg=-1.8v
RDS(ON)<50mΩ@vg=-2.5v
RDS(ON)<40mΩ@vg=-4.5v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
MOS管 NCE2321A应用程序：
PA开关
负荷开关
电源管理
MOS管 NCE2321A封装：
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-20V
栅源电压：±12V
漏极电流连续：-4.5
漏极电流脉冲(注1)：-20
最大功耗：1.7W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
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