深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE40P05S沟槽型功率MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

  　NCE40P05S一般特征：

　　VDS=-40v,ID=-5.3

　　RDS(ON)<80mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<120mΩ@vg=-4.5v

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　良好的散热包装

　　NCE40P05S参数：

　　产品型号：NCE40P05S

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：P沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：-40V

　　连续漏极电流（最大）：-5.3A

　　功率耗散（最大）：2W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：67mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：92mΩ

　　封装：SOP8

　　NCE40P05S应用程序：

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　直流-直流转换器

　　NCE40P05S典型效率曲线：