深圳市誉辉天成电子有限公司
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11年
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NCE30P20Q mos管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低闸门充电。该器件适用于负载开关或PWM应用。
一般特征：
VDS=-30V,ID=-20A
RDS(ON)<25mΩ@vg=-4.5v
RDS(ON)<15mΩ@vg=-10v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用：
PWM程序
负荷开关
电源管理
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-30V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-20
漏极电流连续(TC=100)℃ID：-14.1
漏电流脉冲(注1)IDM-80a
最大功耗PD35w
工作结和储存温度范围：-55至150℃
包装信息：
深圳市誉辉天成电子有限公司
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传真：0755-82534548
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