深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCE60P50K
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：50A
漏源电压（Vdss）：60V
栅源极阈值电压：3.5V@250uA
漏源导通电阻：23mΩ@20A,10V
类型：P沟道
最大功率耗散（Ta）：95W
功率场效应管型号应用：
负荷开关
功率场效应管型号封装：
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-60v
栅源电压：±20v
漏电流连续：-50a
漏电流连续(TC=100℃)ID：-35a
脉冲漏电流：-150a
最大功耗：95W
降额因子：0.76W/℃
单脉冲雪崩能量(注5)：722mJ
工作结和储存温度范围：-55~150℃
深圳市誉辉天成电子有限公司
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