深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE3401采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低2.5V的栅电压运行。该器件适用于负载开关或PWM应用。

　　NCE3401功率MOSFET一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-4.2A

　　RDS(ON)<130mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<75mΩ@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<55mΩ@vg=-10v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　NCE3401功率MOSFET应用：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　电源管理

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30v

　　门源电压：±12v

　　漏极电流连续：-4.2

　　漏极电流脉冲(注1)：-30

　　最大功耗：1.2W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。