深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE60P50K功率场效应管采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷，该设备非常适合于高电流负载的应用。
NCE60P50K功率场效应管一般特征：
VDS=-60V,ID=-50A
RDS(ON)<28mΩ@vg=-10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
NCE60P50K功率场效应管应用程序：
负荷开关
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-60V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-50
漏极电流连续(TC=100℃)：-35
脉冲漏极电流：-150
最大功耗：95W
降额因子：0.76W/℃
单脉冲雪崩能量(注5)：722mj
操作结和存储温度范围：-55-150℃
NCE60P50K功率场效应管封装：
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