深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE60P25K采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)和低栅电荷，该设备非常适合于高电流负载的应用。

　　NCE60P25K一般特征：

　　VDS=-60v,ID=-25

　　RDS(ON)<45mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　NCE60P25K应用程序：

　　全桥变换器高侧开关

　　用于LCD显示的DC/DC转换器

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-60V

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-25a

　　漏电流连续(TC=100℃)：-17.7A

　　脉冲漏电流：-60a

　　最大功耗：90w

　　降额系数0.72W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：300mj

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　NCE60P25K测试电路：

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。