深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE01P03S P沟道功率MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用，ESD提出抗议。
NCE01P03S一般特征：
VDS=-100V,ID=-3A
RDS(ON)<200mΩ@vg=-10v(Typ：170m?)
RDS(ON)<230mΩ@vg=-4.5v(Typ：200m?)
超高密度电池设计
先进的挖沟工艺技术
可靠耐用
高密度电池设计，超低通电阻
NCE01P03S应用程序：
电源开关
DC/DC转换器
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-100V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：3
漏极电流连续(TC=100℃)：-2.1
脉冲漏极电流：-20
最大功耗：2.5W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
NCE01P03S P沟道功率MOSFET更多详情参数，价格咨询我们。
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