深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE60P20K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
NCE60P20K一般特征：
VDS=-60v,ID=-20
RDS(ON)<42mΩ@vg=-10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
NCE60P20K应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
NCE60P20K封装：
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-60V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-20
漏极电流连续(TC=100℃)：-14.1
脉冲漏极电流：80
最大功耗：60W
降额因子：0.4W/℃
单脉冲雪崩能量(注5)：100mj
操作结和存储温度范围：-55-175℃
NCE60P20K测试电路:
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