深圳市誉辉天成电子有限公司

18AMOS管NCE01P18L采用了先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用，ESD提出抗议。

18AMOS管NCE01P18L一般特征：

VDS=-100v,ID=-18

RDS(ON)<100mΩ@vg=-10v(Typ：85m?)

超高密度电池设计

先进的挖沟工艺技术

可靠耐用

高密度电池设计，超低导通电阻

18AMOS管NCE01P18L应用程序：

笔记本电脑电源管理

便携式设备和电池供电系统

绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

漏源电压：-100V

栅源电压：±20V

漏极电流连续：-18

漏极电流连续(TC=100℃)：-12A

脉冲漏极电流：-72A

最大功耗：70W

降额因子：0.56W/℃

操作结和存储温度范围：-55-150℃

18AMOS管NCE01P18L包装信息：