深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE3415场效应MOS管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低栅极充电和低1.8v的栅极电压操作。该装置适用于负载开关或PWM应用场合，对静电放电有一定的抑制作用。
一般特征：
VDS=-20V,ID=-4A
RDS(ON)<60mΩ@vg=-2.5v
RDS(ON)<45mΩ@vg=-4.5v
ESD等级：2500VHBM
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序：
PWM程序
负荷开关
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-20V
栅源电压：±10V
漏极电流连续：4
漏极电流脉冲(注1)：-30
最大功耗：1.4W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
包装信息：
深圳市誉辉天成电子有限公司
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