深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE2301采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低2.5V的栅电压运行。该器件适用于负载开关或PWM应用。

　　产品型号：NCE2301

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：3A

　　漏源电压（Vdss）：20V

　　栅源极阈值电压：1V@250uA

　　漏源导通电阻：110mΩ@3A,4.5V

　　类型：P沟道

　　最大功率耗散（Ta）：1W

　　一般特征：

　　VDS=-20V,ID=-3A

　　RDS(ON)<140mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<110mΩ@vg=-4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　电源管理

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：3

　　漏极电流脉冲(注1)：-10A

　　最大功耗：1W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。