深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCE2305
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：4.1A
漏源电压（Vdss）：20V
栅源极阈值电压：1V@250uA
漏源导通电阻：52mΩ@4.1A,4.5V
类型：P沟道
最大功率耗散（Ta）：1.7W
一般特征：
VDS=-20V,ID=-4.1A
RDS(ON)<60mΩ@vg=-2.5v
RDS(ON)<45mΩ@vg=-4.5v
高功率和电流处理能力
表面安装包
无铅端子电镀
通过无铅认证
无卤素
应用程序：
PWM程序
负荷开关
电源管理
NCE2305封装：
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-20V
栅源电压：±12V
连续漏电流：
TC=25℃：4.1
TC=70℃：3.2
漏极电流脉冲(注1)：-15
最大功耗：1.7W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
深圳市誉辉天成电子有限公司
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