NCE1216采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和带栅电压的操作,该设备适用于负载切换应用和各种其他应用。
一般特点:
VDS=-12V,ID=-16A
RDS(ON)<22mΩ@vg=-2.5v
RDS(ON)<18mΩ@vg=-4.5v
先进的沟槽MOSFET工艺技术
超低导通电阻,低栅电荷
应用程序:
脉宽调制的应用程序
负荷开关
手机电池充电
绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):
漏源电压:-12V
栅源电压:±12V
漏极电流连续:-16
漏极电流脉冲(注1):-65A
最大功耗:18W
操作结和存储温度范围:-55-150℃
誉辉天成之经营理念:只做原装正品,假一罚十,所有产品均为原厂订购过来,不收购便宜库存,以诚信为根本,不欺骗客户,在这混乱的,以次充好的市场,我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品,也选择了安心,不用担心会出质量问题。