深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE4801采用先进的沟槽技术，提供优良的rds(ON)、低栅电荷和低2.5V的栅电压运行。该器件适用于负载开关或PWM应用。
MOS管NCE4801一般特征：
VDS=-30V,ID=-5A
RDS(ON)<80mΩ@vg=-2.5v
RDS(ON)<57mΩ@vg=-4.5v
RDS48mΩ@vg()<=-10v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
MOS管NCE4801应用程序：
PWM程序
负荷开关
电源管理
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-30V
栅源电压：±12V
漏极电流连续：5
漏极电流脉冲(注1)：-28
最大功耗：2w
工作结和储存温度范围：-55~150℃
MOS管NCE4801包装信息：
深圳市誉辉天成电子有限公司
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