深圳市誉辉天成电子有限公司
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11年
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LED芯片及外延(5)
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NCE55P15采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
VDS=-55V,ID=-15A
RDS(ON)<75mΩ@vg=-10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
优异的散热包装
应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
直流-直流转换器
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-55v
栅源电压：±20v
漏电流连续：-15a
漏电流连续(TC=100℃)：-10a
脉冲漏电流：-50a
最大功耗：45W
工作结和储存温度范围：-55~175℃
测试电路:
深圳市誉辉天成电子有限公司
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