深圳市誉辉天成电子有限公司
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11年
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其他光电子、激光器件(4)
LED器件(1)
LED芯片及外延(5)
其它电子原辅材料(1)
滤波器(4)
mos场效应管NCE40P07S一般特征：
VDS=-40v,ID=-6.2
RDS(ON)<25mΩ@vg=-10v
RDS(ON)<30mΩ@vg=-4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
优异的散热包装
mos场效应管NCE40P07S应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
直流-直流转换器
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-40V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-6.2A
漏极电流连续(TC=100℃)：4A
脉冲漏极电流：40
最大功耗：2.5W
工作结和储存温度范围：-55至150℃
mos场效应管NCE40P07S测试电路：
深圳市誉辉天成电子有限公司
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