深圳市誉辉天成电子有限公司
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LED芯片及外延(5)
其它电子原辅材料(1)
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NCE40P06J一般特点：
VDS=-40V,ID=-6A
RDS(ON)<33mΩ@vg=-2.5v
RDS(ON)<45mΩ@vg=-4.5v
先进的沟槽MOSFET工艺技术
极低导通电阻，低栅电荷
NCE40P06J应用程序：
PWM程序
负荷开关
手机电池充电
NCE40P06J引脚说明：
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-40V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：6
漏极电流脉冲(注1)：-38
最大功耗：2.1W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
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