深圳市誉辉天成电子有限公司

　　产品型号：NCE30P30K

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：30A

　　漏源电压（Vdss）：30V

　　栅源极阈值电压：2.5V@250uA

　　漏源导通电阻：18mΩ@20A,10V

　　类型：P沟道

　　最大功率耗散（Ta）：60W

　　一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-30A

　　RDS(ON)<18mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<30mΩ@vg=-4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　全桥变换器高侧开关

　　用于LCD显示的DC/DC转换器

　　封装展示：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明):

　　漏源电压:-30V

　　栅源电压:±20V

　　漏极电流连续:-30

　　漏极电流连续(TC=100℃):-21.2

　　脉冲漏极电流:-70

　　最大功耗:60W

　　降额因子:0.4W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5):169mj

　　操作结和存储温度范围:-55-175℃

　　测试电路: