深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCE30P25S
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：25A
漏源电压（Vdss）：30V
栅源极阈值电压：2.5V@250uA
漏源导通电阻：9mΩ@15A,10V
类型：P沟道
最大功率耗散（Ta）：3.5W
一般特征：
VDS=-30V,ID=-25A
RDS(ON)<9mΩ@vg=-10v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序：
电源管理
负荷开关
NCE30P25S封装：
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-30V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-25
漏极电流脉冲(注1)：-70A
最大功耗：3.5W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
深圳市誉辉天成电子有限公司
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