深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE2302采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和低2.5V的栅电压操作。本设备适用于电池保护或其他开关应用。

　　产品型号：NCE2302

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）：4A

　　功率耗散（最大）:1W

　　栅源极击穿电压：12V

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：30mΩ

　　封装：SOT23

　　一般特征：

　　VDS=20V,ID=4A

　　RDS(ON)<59mΩ@vg=2.5v

　　RDS(ON)<45mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　电池保护

　　负荷开关

　　电源管理

　　引脚图：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：4A

　　漏极电流脉冲(注1)：10A

　　最大功耗：1W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　应用电路图：