NCE15P25JK采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
NCE15P25JK一般特点:
VDS=-150v,ID=-25
RDS(ON)<135mΩ@vg=-10v(Typ=120mR)。
RDS(ON)<160mΩ@vg=-4.5v(Typ=131)
超高密度电池设计
先进的挖沟工艺
可靠和崎岖的
高密度电池设计,超低导通电阻
NCE15P25JK应用程序:
便携式设备和电池供电系统
绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):
漏源电压:-150 V
栅源电压:±20 V
漏极电流连续:-25
漏极电流连续(TC = 100℃): -17
脉冲漏极电流:-140
最大功耗:160 W
降额因子:1.3 W /℃
操作结和存储温度范围:-55 - 150℃
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