深圳市誉辉天成电子有限公司

　　产品型号：NCE3407AY

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：P沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：-30V

　　连续漏极电流（最大）：-4.3A

　　功率耗散（最大）：1.5W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：40mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：48mΩ

　　封装：SOT23-3L

　　封装展示：

　　一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-4.3A

　　RDS(ON)<90mΩ@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<52mΩ@vg=-10v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　电源管理

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-4.3A

　　漏极电流脉冲(注1)：-20A

　　最大功耗：1.5W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　包装标识和订购信息：