深圳市誉辉天成电子有限公司
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LED芯片及外延(5)
其它电子原辅材料(1)
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N沟道增强型功率MOSFET
产品型号：NCE8205B
产品种类：MOSFET
产品特性：N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压（最大）：20V
连续漏极电流（最大）：6.5A
功率耗散（最大）：1.5W
栅源极击穿电压：12V
漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：15mΩ
封装：TSSOP8
引脚图：
应用领域：
电池保护
负荷开关
电源管理
典型效率曲线：
一般特征：
VDS=20V,ID=6.5A
RDS(ON)<27mΩ@vg=2.5v
RDS(ON)<22mΩ@vg=4.5v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
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