深圳市誉辉天成电子有限公司

　　沟槽型功率MOSFET参数：

　　产品型号：NCE8205E

　　品牌：NCE新洁能

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）：6A

　　功率耗散（最大）：1.5W

　　栅源极击穿电压：12V

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：17mΩ

　　封装：TSSOP8

　　沟槽型功率MOSFET一般特征：

　　VDS=20V,ID=6A

　　RDS(ON)<30mΩ@vg=2.5v

　　RDS(ON)<22mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　沟槽型功率MOSFET应用程序：

　　电池保护

　　负荷开关

　　电源管理

　　沟槽型功率MOSFET封装：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：6A

　　漏极电流脉冲(注1)：25A

　　最大功耗：1.5W

　　操作结和存储温度范围：-55~150℃