深圳市誉辉天成电子有限公司

mos管型号NCE2006NE新洁能

产品型号：NCE2006NE

产品种类：MOSFET

产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压（最大）：20V

连续漏极电流（最大）：7A

功率耗散（最大）：1.25W

栅源极击穿电压：10V

漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：15mΩ

封装：SOT23-6

一般特征：

VDS=20V,ID=7A

RDS(ON)<27mΩ@vg=2.5v

RDS(ON)<21mΩ@vg=4.5v

ESD等级：2000VHBM

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序：

PWM程序

负荷开关

绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

漏源电压：20V

栅源电压：±12V

漏极电流连续：7A

漏极电流脉冲(注1)：30A

最大功耗：1.25W

操作结和存储温度范围：-55-150℃