深圳市誉辉天成电子有限公司

　　N+P沟道MOSFET简介：

　　该系列器件采用先进的超结技术和设计，以提供优良的RDS(ON)低栅电荷。这种超级结MOSFET适合工业交流-直流SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的要求。

　　N+P沟道MOSFET特性：

　　高压器件新技术

　　低导通电阻，低导通损耗

　　小包装

　　极低的门电荷降低了驱动要求

　　100%雪崩测试

　　通过无铅认证

　　N+P沟道MOSFET应用程序：

　　功率因数校正(PFC)

　　开关电源(SMPS)

　　不间断电源(UPS)

　　N+P沟道MOSFET原理图：

　　绝对最大额定值(TC=25℃)：

　　漏源电压(VGS=0v)：650v

　　栅源电压(VDS=0v)：±30v

　　在Tc=25°C连续漏电流：1.8A

　　连续漏电流在Tc=100°C：1.2A

　　脉冲漏极电流(注1)：5.4

　　最大功耗(Tc=25℃)：22w

　　减免25°C以上：0.176w/°C

　　单脉冲雪崩能量：40mj

　　雪崩电流：0.9A

　　测试电路：