简介:
该系列器件采用了先进的沟道栅超结技术和设计,以低栅荷提供优良的RDS(ON)。这种超级结MOSFET适合工业交流-直流SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的要求。
特性:
高压器件新技术
低导通电阻,低导通损耗
小包装
极低的门电荷降低了驱动要求
100%雪崩测试
通过无铅认证
应用程序:
功率因数校正(PFC)
开关电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
绝对最大额定值(TC=25℃):
漏源电压(vg=0V):650V
栅源电压(VDS=0V),AC(f>1Hz):±30V
连续漏电流在Tc=25°C:8A
连续漏电流在Tc=100°C:5.2A
脉冲漏极电流(注1):32A
最大功耗(Tc=25℃):69w
减免超过25°C:0.55w/℃
单脉冲雪崩能量:156mj
雪崩电流:1.7A