深圳市誉辉天成电子有限公司
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11年
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其他连接器(3)
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其他光电子、激光器件(4)
LED器件(1)
LED芯片及外延(5)
其它电子原辅材料(1)
滤波器(4)
一般特征：
VDS=-30v,ID=-60
RDS(ON)<6mΩ@vg=-10v
RDS(ON)<8mΩ@vg=-4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序：
电池和负载开关
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-30v
栅源电压：±20v
漏电流连续：-60a
脉冲漏电流：-160a
最大功耗：70w
降额因素：0.56W/℃
单脉冲雪崩能量(注5)：400mj
工作结和储存温度范围：-55~150℃
测试电路:
深圳市誉辉天成电子有限公司
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