NCE40P70K采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)低栅极电荷。这器件非常适合高电流负载的应用。
产品型号:NCE40P70K
产品种类:MOSFET
产品特性:P沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压(最大):-40V
连续漏极电流(最大):-70A
功率耗散(最大):130W
栅源极击穿电压:20V
漏源导通电阻(典型值)(10V):7.5mΩ
封装:TO252
应用领域:
开关;电源开关
在高电流应用中的负载开关
DC/DC转换
引脚图:
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