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常用p沟道mos管型号NCE60P04R
常用p沟道mos管型号NCE60P04R
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常用p沟道mos管型号NCE60P04R

型号/规格:

NCE60P04R

品牌/商标:

NCE新洁能

封装形式:

TO-252

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

盒带编带包装

产品信息

  NCE40P70K采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)低栅极电荷。这器件非常适合高电流负载的应用。



  产品型号:NCE40P70K

  产品种类:MOSFET

  产品特性:P沟道增强型功率MOSFET

  漏源极击穿电压(最大):-40V

  连续漏极电流(最大):-70A

  功率耗散(最大):130W

  栅源极击穿电压:20V

  漏源导通电阻(典型值)(10V):7.5mΩ

  封装:TO252



  应用领域:

  开关;电源开关

  在高电流应用中的负载开关

  DC/DC转换



  引脚图:


  誉辉天成电子有限公司以TI为主线,ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线,所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业,合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业,亦有洲明科技及珠海太川等大客户。公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队,长期关注电子产业的最新动态与价格变化,与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系,与国内着名设计厂商达成合作,授权代理。同时快速响应新老客户需求,企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统,高效快速整合公司的资源,为客户带来星级服务。