深圳市誉辉天成电子有限公司
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p场效应管型号NCE60P10K采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷。
一般特征：
VDS=-60v,ID=-10
RDS(ON)<120mΩ@vg=-10v
RDS(ON)<170mΩ@vg=-4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
优异的散热包装
应用程序：
负荷开关
PWM程序
绝对最大额定参数(TC=25℃除非另有注明)：
漏源电压：-60V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-10A
脉冲漏极电流：-40A
最大功耗：45W
操作结和存储温度范围：-55-175℃
电气特性(TC=25℃，除非另有说明):
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