深圳市誉辉天成电子有限公司
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n型mosfet管NCE0103M
产品型号：NCE0103M
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：3A
漏源电压（Vdss）：100V
栅源极阈值电压：2V@250uA
漏源导通电阻：160mΩ@3A,10V
类型：N沟道
最大功率耗散（Ta）：1.5W
NCE0103M特征：
VDS=100V,ID=3A
RDS(ON)<160mΩ@vg=10v(Typ:136m?)
RDS(ON)<170mΩ@vg=4.5v(Typ:140m?)
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
优异的散热包装
NCE0103M应用程序：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定参数(TA = 25℃除非另有注明)：
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