深圳市誉辉天成电子有限公司
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一般特征：
vds=-40V,ID=-40A
RDS(ON)<14mΩ@VGS=-10V
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS值高
优异的散热包装
应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
封装：
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-40V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-40A
漏极电流连续(TC=100℃)：-25A
脉冲漏极电流：-50A
最大功耗：80W
降额因子：0.53W/℃
单脉冲雪崩能量(注5)：544mj
操作结和存储温度范围：-55-175℃
电气特性(TC=25℃，除非另有说明):
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