深圳市誉辉天成电子有限公司
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11年
元器件产品
COMPONENT PRODUCTSIC芯片(501996)
逻辑IC(14)
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其他IC(1430)
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DC-DC(4)
LED驱动IC(9)
稳压IC(65)
充电管理IC(9)
其他电源IC(79)
贴片/片式/SMD二极管(38)
整流二极管(13)
整流二极管模块(2)
稳压二极管(1)
瞬态(变)抑制二极管(5)
肖特基二极管(2)
激光(光电)二极管(1)
齐纳/雪崩二极管(3)
TVP管(2)
二极管芯片(管芯)(1)
其他二极管(38)
三极管芯片(管芯)(1)
MOSFET(284)
结型场效应管(3)
IGBT模块(4)
单向可控硅(晶闸管)(1)
可控硅(晶闸管)模块(2)
单片机产品/套件(4)
单片机MCU(8)
铝电解电容(5)
钽电解电容(6)
高压电容(1)
陶瓷电容(2)
其他电容(3)
贴片/片式电阻(1)
功率电感(1)
其他电感器(5)
模块电源/电源模块(54)
线性电源(2)
直流稳压电源(1)
其他类型电源(5)
贴片晶振(1)
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矩形/重载连接器(2)
板对板连接器(1)
电源连接器(1)
IC连接器(1)
插头(座)(1)
其他连接器(3)
光电/光敏传感器(1)
霍尔传感器(2)
温(湿)度传感器(14)
其他传感器(5)
其它保险丝(1)
电子/开关/脉冲变压器(1)
固态继电器(3)
通信继电器(1)
其它逆变器(3)
放大器(83)
光电光耦合器(光耦)(1)
其他光电子、激光器件(4)
LED器件(1)
LED芯片及外延(5)
其它电子原辅材料(1)
滤波器(4)
一般特征：
VDS=-150V，ID=-25A
RDS(ON)<135mΩ@VGS=-10V（Typ.=120mR）
RDS(ON)<160mΩ@VGS=-10V（Typ.=131mR）
超高密度电池设计
先进的挖沟工艺技术
可靠耐用
高密度电池设计，超低导通电阻
应用程序：
便携式设备和电池供电系统
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-150V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-25A
漏极电流连续(TC=100℃)：-17A
脉冲漏极电流：-100A
最大功耗：160W
降额因子：1.3W/℃
操作结和存储温度范围：-55-150℃
电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：
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