深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCE60P50
产品种类：MOSFET
漏源极击穿电压（最大）：-60V
连续漏极电流（最大）：-50A
功率耗散（最大）：95W
栅源极击穿电压：20V
漏源导通电阻（典型值）(10V)：23mΩ
封装：TO-220
应用领域：
负荷开关
一般特征：
VDS=-60V,ID=-50A
RDS(ON)<28mΩ@vg=-10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
引脚展示：
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-60V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-50A
漏极电流连续(TC=100℃)：-35A
脉冲漏极电流：-150A
最大功耗：95W
降额因子：0.76W/℃
单脉冲雪崩能量(注5)：722mj
操作结和存储温度范围：-55-150℃
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