深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCE9926
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：6A
漏源电压（Vdss）：20V
栅源极阈值电压：1.2V@250uA
漏源导通电阻：28mΩ@6A,4.5V
类型：2个N沟道(双)
最大功率耗散（Ta）：1.25W
一般特征：
VDS=20v,ID=6
RDS(ON)<28mΩ@vg=4.5v
RDS(ON)<37mΩ@vg=2.5v
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：20V
栅源电压：±10V
漏极电流连续：6A
漏极电流连续(TC=100℃)：3.8A
脉冲漏极电流：25A
最大功耗：1.25W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
电气特性(TA=25℃，除非另有说明):
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