深圳市誉辉天成电子有限公司

　　金属-氧化物-半导体结构的晶体管简称MOS管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

　　NCE5020Q采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　产品型号：NCE5020Q

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N-50VTrenchMOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：50V

　　连续漏极电流（最大）：20A

　　功率耗散（最大）：35W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻：19mΩ

　　封装：DFN3X38L

　　产品图片：

　　一般特征:

　　VDS=50v,ID=20

　　RDS(ON)<22mΩ@vg=10v(Typ:19mΩ)

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。