深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE2060K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
VDS=20v,ID=60
RDS(ON)<6mΩ@vg=4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
应用程序：
负荷开关
开关硬，频率高
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：20V
栅源电压：±12V
漏极电流连续：60A
漏极电流连续(TC=100℃)：42A
脉冲漏极电流：210A
最大功耗：60W
降额因子：0.48W/℃
单脉冲雪崩能量(注5)：200mJ
操作结和存储温度范围：-55-150℃
测试电路：
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