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P沟道增强型功率MOSFET NCE60PD05S
P沟道增强型功率MOSFET NCE60PD05S
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P沟道增强型功率MOSFET NCE60PD05S

型号/规格:

NCE60PD05S

品牌/商标:

NCE新洁能

封装形式:

SOP-8 Package

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

盒带编带包装

产品信息

  nce60pd05采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。



  一般特征:

  VDS=-60v,ID=5

  RDS(ON)<50mΩ@vg=-10v

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  优异的散热包装



  应用程序:

  电源开关应用

  硬开关高频电路

  直流-直流转换器



  绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:-60V

  栅源电压:±20V

  漏极电流连续:5A

  漏极电流连续(TC=100℃):-3.5A

  脉冲漏极电流:-30A

  最大功耗:3W

  操作结和存储温度范围:-55-150℃



  电气特性(TA=25℃,除非另有说明):